8-900-374-94-44
Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы.
Перевод этой статьи.
Небольшое обращение от переводчика:
Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т.п. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку (хвала текстовым процессорам с указанием ошибок), то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто.
И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее.
Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на <вставить название>, само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно.
Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.
Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub.
Этой статьёй я и решил поделится.
Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.
Вы можете загрузить документацию для IR2110 с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.
pdf
Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:
Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110
Рисунок 2 — Распиновка IR2110
Рисунок 3 — Описание пинов IR2110
Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.
Теперь поговорим о различных контактах.
VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график:
Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания
Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт.
Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.
Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33). При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.
Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов.
В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.
Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.
HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом.
Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.
SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.
Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления полумостом
D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора.
D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.
+MOSV может быть максимум 500В.
+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.
Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.
Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного полумоста
Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами (кликабельно)
На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом.
В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.
Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами (кликабельно)
Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня
На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.
Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня
Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня
Если у вас проблемы с IR2110 и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно.
НИКОГДА НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О РЕЗИСТОРАХ НА ЗАТВОР-ИСТОК. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь (я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения): http://tahmidmc.blogspot.com/2012/10/magic-of-knowledge.html
Для дальнейшего чтения я рекомендую это: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf
Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.
🔍 Поиск по сайту
Обширный продуктовый портфель MOSFET – драйверов от Renesas включает мостовые, синхронные многофазные драйверы, а также драйверы нижнего плеча.
Изделия способны работать с напряжением до 100 В, обладают лучшими в отрасли показателями времени нарастания и спада, а также исключительными характеристиками по задержке распространения между входом и выходом.
Некоторые изделия доступны в корпусах DFN 4 мм x 4 мм и 3 мм x 3 мм, которые соответствуют спецификациям IPC-2221 по утечке и зазору для высоковольтных систем.
Компания СКАНТИ является прямым авторизованным дистрибьютором Renesas на территории РФ, Беларуси и Казахстана. По всем вопросам просим написать нам на адрес Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. или воспользоваться формой обратной связи.
Мостовые драйверы от Renesas способны работать с напряжением до 100 В, обладают лучшими в отрасли показателями времени нарастания и спада, а также исключительными характеристиками по задержке распространения между входом и выходом.
Renesas предлагает мостовые драйверы с интегрированными МОП-транзисторами для управления небольшими электродвигателями с напряжением 3, 5 или 12 В и током до 0,5А
| Изделие | Назначение | Макс. напряжение, В | Напр. питания, макс., В | Пиковый Pull-up ток | Пиковый Pull-down ток | Задержка включения, нс | Задержка выключения, нс | Входная логика | Раб. температура | Корпус |
| ISL89401 | Полумостовой | 114 | 14.0 | 1.25 A | 1.25 A | 39.0 | 31.0 | 3.3V/TTL | -40 … +125 | 8pin-SOICN, 9pin-DFN |
| ISL89400 | Полумостовой | 114 | 14.0 | 1.25 A | 1.25 A | 39. 0 |
31.0 | CMOS | -40 … +125 | 9pin-DFN |
| ISL83202 | Мостовой | 70 | 15.0 | 1 A | 1 A | 75.0 | 55.0 | 3.3V/TTL | -55 … +125 | 16pin-SOICN |
| ISL78420 | Полумостовой с регулировкой Dead Time | 114 | 14.0 | 2 A | 2 A | 32.0 | 32.0 | 5V | -40 … +125 | 14pin-TSSOP-EP |
| ISL6700 | Полумостовой | 95 | 15.0 | 1.4 A | 1.3 A | 70.0 | 60.0 | 3.3V/TTL | -40 … +85 | 8pin-SOICN |
| ISL2111 | Полумостовой | 114 | 14.0 | 3 A | 4 A | 38.0 | 32. 0 |
3.3V/TTL | -40 … +125 | 10pin-TDFN, 12pin-DFN, 8pin-DFN, 8pin-SOICN |
| ISL2110 | Полумостовой | 114 | 14.0 | 3 A | 4 A | 38.0 | 32.0 | CMOS | -40 … +125 | 12pin-DFN, 8pin-SOICN |
| ISL2101A | Полумостовой | 114 | 14.0 | 2 A | 2 A | 39.0 | 34.0 | 3.3V/TTL | -40 … +125 | 8pin-SOICN, 9pin-DFN |
| ISL2100A | Полумостовой | 114 | 14.0 | 2 A | 2 A | 39.0 | 31.0 | CMOS | -40 … +85 | 9pin-DFN |
| HIP4086A | Трехфазный мостовой | 95 | 15.0 | 0.5 A | 1.1 A | 65. 0 |
75.0 | 3.3V/TTL | -40 … +105 | 24pin-SOICW |
| HIP4086 | Трехфазный мостовой | 95 | 15.0 | 0.5 A | 1.1 A | 65.0 | 75.0 | 3.3V/TTL | -40 … +105 | 24pin-PDIP, 24pin-SOICW |
| HIP4083 | Трехфазный, верхнего или нижнего плеча | 95 | 15.0 | 0.24 A | 0.3 A | 65.0 | 60.0 | 3.3V/TTL | -40 … +105 | 16pin-SOICN |
| HIP4082 | Мостовой | 95 | 15.0 | 1.4 A | 1.3 A | 75.0 | 55.0 | 3.3V/TTL | -55 … +125 | 16pin-PDIP, 16pin-SOICN |
| HIP4081A | Мостовой | 95 | 15.0 | 2. 6 A |
2.4 A | 60.0 | 35.0 | 3.3V/TTL | -40 … +85 | 20pin-PDIP, 20pin-SOICW |
| HIP4080A | Мостовой | 95 | 15.0 | 2.6 A | 2.4 A | 70.0 | 50.0 | 3.3V/TTL | -40 … +85 | 20pin-PDIP, 20pin-SOICW |
| HIP2104 | Полумостовой, пара к HIP2103 | 60 | 14.0 | 1 A | 2 A | 23.0 | 27.0 | 3.3V/TTL | -40 … +125 | 12pin-DFN |
| HIP2103 | Полумостовой, пара к HIP2104 | 60 | 14.0 | 1 A | 2 A | 28.0 | 30.0 | 3.3V/TTL | -40 … +125 | 8pin-TDFN |
| HIP2101 | Полумостовой | 114 | 14. 0 |
2 A | 2 A | 25.0 | 25.0 | 3.3V/TTL | -40 … +85 | 12pin-DFN, 16pin-QFN, 8pin-SOICN, 8pin-SOICN-EP |
| HIP2100 | Полумостовой | 114 | 14.0 | 2 A | 2 A | 20.0 | 20.0 | CMOS | -40 … +85 | 16pin-QFN, 8pin-SOICN, 8pin-SOICN-EP |
Полумостовой драйвер:
Мостовой драйвер:
Трехфазный драйвер:
Драйверы нижнего плеча от Renesas — это высокоскоростные согласованные сдвоенные драйверы, способные выдавать пиковые токи в высокоемкостные нагрузки, и превосходно работать на больших емкостных нагрузках с минимальной задержкой и временем переключения.
| Изделие | Кол-во каналов | Рабочая частота, макс. | Пиковый вых. ток, А | Задержка включения, нс | Задержка выключения, нс | Напр. питания Vp, В | Ток потребления | Сопр. открытого ключа | Вход, В | Выход, В | Раб. темп. | Корпус |
| ISL89412 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +18 | 2.5 mA | — | 0 … 18 | 0 … +18 | -40 … +85 | 8pin-SOICN |
| ISL89411 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +18 | 1 mA | — | 0 … 18 | 0 … +18 | -40 . .. +85 |
8pin-SOICN |
| ISL89410 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +18 | 4.5 mA | 4 Ω | 0 … 18 | 0 … +18 | -40 … +85 | 8pin-SOICN |
| ISL89165 | 2 | 10 MHz | 6 | 25.0 | 25.0 | +4.5 … +16 | 5 mA | 1 Ω | 0 … 16 | 0 … +16 | -40 … +125 | 8pin-SOICN-EP, 8pin-TDFN |
| ISL89164 | 2 | 10 MHz | 6 | 25.0 | 25.0 | +4.5 … +16 | 5 mA | 2 Ω | 0 … Vp | 0 … +16 | -40 … +125 | 8pin-SOICN-EP, 8pin-TDFN |
| ISL89163 | 2 | 10 MHz | 6 | 25. 0 |
25.0 | +4.5 … +16 | 5 mA | 2 Ω | 0 … Vp | 0 … +16 | -40 … +125 | 8pin-SOICN-EP, 8pin-TDFN |
| ICL7667 | 2 | 10 MHz | 1 | 20.0 | 20.0 | -15 … +15 | 5 mA | 8 Ω | -Vp … + Vp | -15 … +15 | 0 … +70 | 8pin-PDIP, 8pin-SOICN |
| EL7252 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +15 | 2.5 mA | 4 Ω | 0 … Vp | 0 … +16.5 | 0 … +70 | 8pin-SOICN |
| EL7242 | 2 | 10 MHz | 2 | 20.0 | 20.0 | +4.5 … +15 | 3 mA | 4 Ω | 0 … Vp | 0 . .. +15 |
-40 … +85 | 8pin-SOICN |
| EL7232 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +15 | 2.5 mA | 4 Ω | 0 … Vp | 0 … +15 | -40 … +85 | 8pin-SOICN |
| EL7222 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +15 | 5 mA | 4 Ω | 0 … Vp | 0 … +15 | -40 … +85 | 8pin-SOICN |
| EL7212 | 2 | 10 MHz | 2 | 18.0 | 20.0 | +4.5 … +15 | 2.5 mA | 4 Ω | 0 … Vp | 0 … +15 | -40 … +85 | 8pin-PDIP, 8pin-SOICN |
| EL7202 | 2 | 10 MHz | 2 | 18. 0 |
20.0 | +4.5 … +15 | 7.5 mA | 4 Ω | 0 … Vp | 0 … +15 | -40 … +85 | 8pin-SOICN |
| EL7104 | 1 | 10 MHz | 4 | 18.0 | 18.0 | +4.5 … +16 | 7.5 mA | 1.5 Ω | 0 … Vp | -3 … +16 | -40 … +85 | 8pin-PDIP, 8pin-SOICN |
Renesas предлагает широкий ассортимент синхронных MOSFET-драйверов для многофазной широтно-импульсной модуляции (ШИМ).
| Изделие | Особенности | Uвх/Uшим, макс. | Вых. ток верхнего плеча, Source/Sink (A) | Вых. ток нижнего плеча, Source/Sink (A) | Фазное напр., макс. | Ток потр. |
Раб. температура | Корпус |
| ZL1505 | 5V | 4.5 | 3.3 | — | — | -40 … +125 | 10pin-DFN | |
| RAA220002 | 2 канала | 15V | 1.25/2 | 1.75/3 | 25VDC, 30V (200ns) | 12.5 mA | — | 12pin-TDFN |
| RAA220001 | 15V | 1.25/2 | 1.75/3 | 25VDC, 30V (200ns) | 7.0 mA | — | 8pin-DFN | |
| ISL95808 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +100 | 8pin-DFN | |
| ISL6627 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.4 | 2.2 | 25VDC, 30V (100ns) | 1. 85 µA |
-40 … +85 | 10pin-DFN | |
| ISL6625A | 15V | 1.25/2 | 1.75/3 | 25VDC, 30V (200ns) | 7.56 mA | -40 … +85 | 8pin-DFN | |
| ISL6622A | 15V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 5.7 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
| ISL6622 | 15V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 5.7 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN, 8pin-SOICN | |
| ISL6620A | 15V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 1.85 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
| ISL6620 | 15V | 2.2 | 2. 4 |
15VDC, 30V (100ns) | 1.85 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
| ISL6617A | Дублер фаз | -0.3V … VCC + 0.3V | 0.05/0.05 | 0.05/0.05 | N/A | 5 mA | -40 … +125 | 10pin-DFN |
| ISL6617 | Дублер фаз | -0.3V … VCC + 0.3V | 0.05/0.05 | 0.05/0.05 | N/A | 5 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN |
| ISL6615A | 15V | 2.5 | 4.6 | 15VDC, 30V (200ns) | 8 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN, 8pin-SOICN | |
| ISL6615 | 15V | 2.5 | 4.6 | 15VDC, 30V (200ns) | 8 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
| ISL6614A | 2 канала | GND — 0. 3V … 7V |
1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 7.1 mA | 0 … +70 | 14pin-SOICN, 16pin-QFN |
| ISL6614 | 2 канала | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 7.1 mA | 0 … +70 | 16pin-QFN |
| ISL6613A | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 4.5 mA | -40 … +85 | 8pin-SOICN-EP | |
| ISL6612A | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 7.2 mA | -40 … +85 | 8pin-SOICN | |
| ISL6612 | 15V | 1.25/2 | 2.3 | 24V (200ns, VBOOT-PHASE=12V) | 4. 5 mA |
0 … +70 | 10pin-DFN | |
| ISL6611A | 2 канала | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 27VDC, 30V (100ns) | 2.5 mA | 0 … +70 | 16pin-QFN |
| ISL6609A | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.132 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN, 8pin-SOICN | |
| ISL6609 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.132 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN | |
| ISL6608 | -0.3V … 7V | 2.2 | 2.4 | 22V | 0.08 mA | 0 … +70 | 8pin-SOICN | |
| ISL6605 | 17V | 2. 2 |
2.4 | 22V | 0.002 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN | |
| ISL6596 | 3.3 и 5 | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.19 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
| ISL6594D | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 4.5 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
| ISL6594A | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 8 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
| ISL6208C | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +100 | 8pin-DFN | |
| ISL6208B | -0. 3V … VCC + 0.3V |
2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +100 | 8pin-DFN | |
| ISL6208 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN, 8pin-SOICN | |
| HIP2106A | 3.3 и 5 | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.19 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
| HIP2105 | — | 2.2 | 2.4 | GND — 0.3VDC GND — 8V (20ns) | 0.19 mA | — | 10pin-DFN |
Микросхемы данного класса предназначены для применения в одно- и многофазных DC/DC преобразователях большой мощности.
Драйвер MOSFET представляет собой тип усилителя мощности, который принимает маломощный входной сигнал от ИС контроллера и создает сильноточный входной сигнал для затвора мощного транзистора, такого как биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT).
) или силовой МОП-транзистор. Драйверы МОП-транзисторов полезны для работы МОП-транзисторов, поскольку сильноточный привод, подаваемый на затвор МОП-транзистора, уменьшает время переключения между стадиями включения / выключения затвора, что приводит к увеличению мощности и термической эффективности МОП-транзистора.
Наш разнообразный набор драйверов MOSFET поддерживает широкий спектр приложений, от источников питания постоянного тока до множества приложений для двигателей, обеспечивая при этом высокую гибкость конструкции, эффективность системы и надежную работу.
Читать далее
Загрузка
Просмотреть все параметры
Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму.
Если вы все еще не можете найти
диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу
Форма обратной связи на сайте
чтобы уведомить нас об этой проблеме.
Загрузка
Просмотреть все параметры
Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.
Загрузка
Просмотреть все параметры
Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.
Загрузка
Просмотреть все параметры
Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму.
Если вы все еще не можете найти
диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу
Форма обратной связи на сайте
чтобы уведомить нас об этой проблеме.
Загрузка
Просмотреть все параметры
Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.
Загрузка
Просмотреть все параметры
Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.
Ничего не найдено
)Результатов не найдено
Предоставляет предложения по проектированию общих схем, оценивает производительность для общих модификаций и может экспортировать в MPLAB™ ® .
Использует среду SIMetrix/SIMPLIS для моделирования поведения схемы, сокращая время проектирования за счет отладки программного обеспечения для первоначальной проверки проекта.
Предоставляет рекомендации по точной физической компоновке схемы, делясь передовым опытом от опытного разработчика источников питания, чтобы физическое оборудование соответствовало моделированию.
comВыберите из нашего обширного портфеля изолированных, полумостовых драйверов и драйверов затвора нижнего плеча, которые поддерживают IGBT, GaNFET и SiCFET, чтобы оптимизировать свою конструкцию. Наши решения, ресурсы и опыт в области драйверов затворов облегчают вам проектирование эффективных, надежных и энергоемких систем.
Высокоскоростные драйверы затворов GaN, обеспечивающие высокую удельную мощность и простоту конструкции для любой топологии
Сочетание быстрых временных характеристик, безвыводных корпусов и узкой амплитудно-импульсной характеристики наших драйверов позволяет быстро переключать полевые транзисторы. Дополнительные функции, такие как регулировка напряжения затвора, программируемое мертвое время и низкое внутреннее энергопотребление, гарантируют, что высокочастотное переключение обеспечивает максимально возможную эффективность.
параметрический фильтр Низкочастотные драйверы параметрический фильтр Полумостовые драйверы
Драйверы затворов из карбида кремния (SiC) для энергоэффективной, надежной и компактной конструкции системы
Повысьте эффективность своей конструкции за счет больших токов управления, высокого CMTI и коротких задержек распространения наших драйверов затворов SiC и IGBT. Наши драйверы затворов SiC помогут вам добиться надежной изоляции в вашей системе благодаря быстрой встроенной защите от короткого замыкания и высокой устойчивости к импульсным перенапряжениям. Уменьшите размер, вес и стоимость вашей системы, переключив SiC на более высокие частоты ШИМ с помощью наших быстрых, прочных и надежных драйверов.
параметрический фильтр Найдите свое устройство
Дополнительная литература
Основы схем драйверов затворов MOSFET и IGBT (заменяет SLUP169) (Rev.
A)
В данных рекомендациях по применению демонстрируется системный подход к проектированию высокопроизводительных схем управления затворами для высокоскоростных коммутационных приложений.
документ-pdfAcrobat PDF
РесурсРесурс
Драйвер затвора. Часто задаваемые вопросы (FAQ)
На этой странице часто задаваемых вопросов представлен упорядоченный обзор наших решений распространенных вопросов по драйверу затвора и проблем проектирования.
белая бумагаТехнический документ
Воздействие изолированного драйвера затвора (версия A)
В этом техническом документе объясняются преимущества и требования изолированных драйверов затвора как функции переключателя питания.
документ-pdfAcrobat ПДФ
Базовый вариант
В этом базовом проекте реализован высокочастотный силовой каскад на основе полумостового драйвера MOSFET UCC27282 120 В и CSD19.