8-900-374-94-44
[email protected]
Slide Image
Меню

Mosfet драйвер: Современные высоковольтные драйверы MOSFET- и IGBT-транзисторов

Содержание

Использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней IR2110 — объяснение и примеры схем / Хабр

Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы.
Перевод этой статьи.

Небольшое обращение от переводчика:

Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т.п. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку (хвала текстовым процессорам с указанием ошибок), то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто.
И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее.

Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на <вставить название>, само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно.

Обычно это выглядит так:
— берём двигатель
— берём компоненты
— подсоединяем компоненты и двигатель
— …
— PROFIT!1!

Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.

Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится.

Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.

Вы можете загрузить документацию для IR2110 с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110. pdf

Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:


Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110


Рисунок 2 — Распиновка IR2110


Рисунок 3 — Описание пинов IR2110

Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.

Теперь поговорим о различных контактах.

VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график:


Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания

Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт. Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.

Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33). При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.

Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.

Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.

HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом.

VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю.

Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.

SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.

Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2110 для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на полумостовые схемы.


Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления полумостом

D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора.

Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как 30-50кГц, я использую ёмкость от 4.7мкФ до 22мкФ. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором. Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый.

D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.

+MOSV может быть максимум 500В.

+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.

Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.


Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного полумоста


Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами (кликабельно)

На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.


Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами (кликабельно)


Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня

На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.


Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня


Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня


Если у вас проблемы с IR2110 и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно. НИКОГДА НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О РЕЗИСТОРАХ НА ЗАТВОР-ИСТОК. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь (я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения): http://tahmidmc.blogspot.com/2012/10/magic-of-knowledge.html

Для дальнейшего чтения я рекомендую это: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.

Драйверы MOSFET

🔍 Поиск по сайту

  • Русский
  • English (UK)
  1. Главная
  2. Renesas
  3. Управление питанием
  4. Драйверы MOSFET

Драйверы MOSFET

Обширный продуктовый портфель MOSFET – драйверов от Renesas включает мостовые, синхронные многофазные драйверы, а также драйверы нижнего плеча.

Изделия способны работать с напряжением до 100 В, обладают лучшими в отрасли показателями времени нарастания и спада, а также исключительными характеристиками по задержке распространения между входом и выходом.

Некоторые изделия доступны в корпусах DFN 4 мм x 4 мм и 3 мм x 3 мм, которые соответствуют спецификациям IPC-2221 по утечке и зазору для высоковольтных систем.

  • Найти и сравнить

 

Компания СКАНТИ является прямым авторизованным дистрибьютором Renesas на территории РФ, Беларуси и Казахстана. По всем вопросам просим написать нам на адрес Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. или воспользоваться формой обратной связи.

 

  • Мостовые драйверы
  • Драйверы нижнего плеча
  • Синхронные многофазные драйверы
  • Мостовые драйверы
  • Драйверы нижнего плеча
  • Синхронные многофазные драйверы

Мостовые драйверы

Мостовые драйверы от Renesas способны работать с напряжением до 100 В, обладают лучшими в отрасли показателями времени нарастания и спада, а также исключительными характеристиками по задержке распространения между входом и выходом.

Renesas предлагает мостовые драйверы с интегрированными МОП-транзисторами для управления небольшими электродвигателями с напряжением 3, 5 или 12 В и током до 0,5А

  • Найти и сравнить
  • Скачать документацию
Изделие Назначение Макс. напряжение, В Напр. питания, макс., В Пиковый Pull-up ток Пиковый Pull-down ток Задержка включения, нс Задержка выключения, нс Входная логика Раб. температура Корпус
ISL89401 Полумостовой 114 14.0 1.25 A 1.25 A 39.0 31.0 3.3V/TTL -40 … +125 8pin-SOICN, 9pin-DFN
ISL89400 Полумостовой 114 14.0 1.25 A 1.25 A 39. 0 31.0 CMOS -40 … +125 9pin-DFN
ISL83202 Мостовой 70 15.0 1 A 1 A 75.0 55.0 3.3V/TTL -55 … +125 16pin-SOICN
ISL78420 Полумостовой с регулировкой Dead Time 114 14.0 2 A 2 A 32.0 32.0 5V -40 … +125 14pin-TSSOP-EP
ISL6700 Полумостовой 95 15.0 1.4 A 1.3 A 70.0 60.0 3.3V/TTL -40 … +85 8pin-SOICN
ISL2111 Полумостовой 114 14.0 3 A 4 A 38.0 32. 0 3.3V/TTL -40 … +125 10pin-TDFN, 12pin-DFN, 8pin-DFN, 8pin-SOICN
ISL2110 Полумостовой 114 14.0 3 A 4 A 38.0 32.0 CMOS -40 … +125 12pin-DFN, 8pin-SOICN
ISL2101A Полумостовой 114 14.0 2 A 2 A 39.0 34.0 3.3V/TTL -40 … +125 8pin-SOICN, 9pin-DFN
ISL2100A Полумостовой 114 14.0 2 A 2 A 39.0 31.0 CMOS -40 … +85 9pin-DFN
HIP4086A Трехфазный мостовой 95 15.0 0.5 A 1.1 A 65. 0 75.0 3.3V/TTL -40 … +105 24pin-SOICW
HIP4086 Трехфазный мостовой 95 15.0 0.5 A 1.1 A 65.0 75.0 3.3V/TTL -40 … +105 24pin-PDIP, 24pin-SOICW
HIP4083 Трехфазный, верхнего или нижнего плеча 95 15.0 0.24 A 0.3 A 65.0 60.0 3.3V/TTL -40 … +105 16pin-SOICN
HIP4082 Мостовой 95 15.0 1.4 A 1.3 A 75.0 55.0 3.3V/TTL -55 … +125 16pin-PDIP, 16pin-SOICN
HIP4081A Мостовой 95 15.0 2. 6 A 2.4 A 60.0 35.0 3.3V/TTL -40 … +85 20pin-PDIP, 20pin-SOICW
HIP4080A Мостовой 95 15.0 2.6 A 2.4 A 70.0 50.0 3.3V/TTL -40 … +85 20pin-PDIP, 20pin-SOICW
HIP2104 Полумостовой, пара к HIP2103 60 14.0 1 A 2 A 23.0 27.0 3.3V/TTL -40 … +125 12pin-DFN
HIP2103 Полумостовой, пара к HIP2104 60 14.0 1 A 2 A 28.0 30.0 3.3V/TTL -40 … +125 8pin-TDFN
HIP2101 Полумостовой 114 14. 0 2 A 2 A 25.0 25.0 3.3V/TTL -40 … +85 12pin-DFN, 16pin-QFN, 8pin-SOICN, 8pin-SOICN-EP
HIP2100 Полумостовой 114 14.0 2 A 2 A 20.0 20.0 CMOS -40 … +85 16pin-QFN, 8pin-SOICN, 8pin-SOICN-EP

 

Полумостовой драйвер:

Мостовой драйвер:

Трехфазный драйвер:

Драйверы нижнего плеча

Драйверы нижнего плеча от Renesas — это высокоскоростные согласованные сдвоенные драйверы, способные выдавать пиковые токи в высокоемкостные нагрузки, и превосходно работать на больших емкостных нагрузках с минимальной задержкой и временем переключения.

  • Найти и сравнить
  • Скачать документацию
Изделие Кол-во каналов Рабочая частота, макс. Пиковый вых. ток, А Задержка включения, нс Задержка выключения, нс Напр. питания Vp, В Ток потребления Сопр. открытого ключа Вход, В Выход, В Раб. темп. Корпус
ISL89412 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +18 2.5 mA 0 … 18 0 … +18 -40 … +85 8pin-SOICN
ISL89411 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +18 1 mA 0 … 18 0 … +18 -40 . .. +85 8pin-SOICN
ISL89410 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +18 4.5 mA 4 Ω 0 … 18 0 … +18 -40 … +85 8pin-SOICN
ISL89165 2 10 MHz 6 25.0 25.0 +4.5 … +16 5 mA 1 Ω 0 … 16 0 … +16 -40 … +125 8pin-SOICN-EP, 8pin-TDFN
ISL89164 2 10 MHz 6 25.0 25.0 +4.5 … +16 5 mA 2 Ω 0 … Vp 0 … +16 -40 … +125 8pin-SOICN-EP, 8pin-TDFN
ISL89163 2 10 MHz 6 25. 0 25.0 +4.5 … +16 5 mA 2 Ω 0 … Vp 0 … +16 -40 … +125 8pin-SOICN-EP, 8pin-TDFN
ICL7667 2 10 MHz 1 20.0 20.0 -15 … +15 5 mA 8 Ω -Vp … + Vp -15 … +15 0 … +70 8pin-PDIP, 8pin-SOICN
EL7252 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +15 2.5 mA 4 Ω 0 … Vp 0 … +16.5 0 … +70 8pin-SOICN
EL7242 2 10 MHz 2 20.0 20.0 +4.5 … +15 3 mA 4 Ω 0 … Vp 0 . .. +15 -40 … +85 8pin-SOICN
EL7232 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +15 2.5 mA 4 Ω 0 … Vp 0 … +15 -40 … +85 8pin-SOICN
EL7222 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +15 5 mA 4 Ω 0 … Vp 0 … +15 -40 … +85 8pin-SOICN
EL7212 2 10 MHz 2 18.0 20.0 +4.5 … +15 2.5 mA 4 Ω 0 … Vp 0 … +15 -40 … +85 8pin-PDIP, 8pin-SOICN
EL7202 2 10 MHz 2 18. 0 20.0 +4.5 … +15 7.5 mA 4 Ω 0 … Vp 0 … +15 -40 … +85 8pin-SOICN
EL7104 1 10 MHz 4 18.0 18.0 +4.5 … +16 7.5 mA 1.5 Ω 0 … Vp -3 … +16 -40 … +85 8pin-PDIP, 8pin-SOICN

Синхронные многофазные драйверы

Renesas предлагает широкий ассортимент синхронных MOSFET-драйверов для многофазной широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

  • Найти и сравнить
  • Скачать документацию
Изделие Особенности Uвх/Uшим, макс. Вых. ток верхнего плеча, Source/Sink (A) Вых. ток нижнего плеча, Source/Sink (A) Фазное напр., макс. Ток потр. Раб. температура Корпус
ZL1505   5V 4.5 3.3 -40 … +125 10pin-DFN
RAA220002 2 канала 15V 1.25/2 1.75/3 25VDC, 30V (200ns) 12.5 mA 12pin-TDFN
RAA220001   15V 1.25/2 1.75/3 25VDC, 30V (200ns) 7.0 mA 8pin-DFN
ISL95808   -0.3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 30V 0.08 mA -40 … +100 8pin-DFN
ISL6627   -0.3V … VCC + 0.3V 2.4 2.2 25VDC, 30V (100ns) 1. 85 µA -40 … +85 10pin-DFN
ISL6625A   15V 1.25/2 1.75/3 25VDC, 30V (200ns) 7.56 mA -40 … +85 8pin-DFN
ISL6622A   15V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 5.7 mA -40 … +85 10pin-DFN
ISL6622   15V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 5.7 mA -40 … +85 10pin-DFN, 8pin-SOICN
ISL6620A   15V 2.2 2.4 15VDC, 30V (100ns) 1.85 mA 0 … +70 10pin-DFN
ISL6620   15V 2.2 2. 4 15VDC, 30V (100ns) 1.85 mA -40 … +85 10pin-DFN
ISL6617A Дублер фаз -0.3V … VCC + 0.3V 0.05/0.05 0.05/0.05 N/A 5 mA -40 … +125 10pin-DFN
ISL6617 Дублер фаз -0.3V … VCC + 0.3V 0.05/0.05 0.05/0.05 N/A 5 mA -40 … +85 10pin-DFN
ISL6615A   15V 2.5 4.6 15VDC, 30V (200ns) 8 mA -40 … +85 10pin-DFN, 8pin-SOICN
ISL6615   15V 2.5 4.6 15VDC, 30V (200ns) 8 mA -40 … +85 10pin-DFN
ISL6614A 2 канала GND — 0. 3V … 7V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 7.1 mA 0 … +70 14pin-SOICN, 16pin-QFN
ISL6614 2 канала GND — 0.3V … 7V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 7.1 mA 0 … +70 16pin-QFN
ISL6613A   GND — 0.3V … 7V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 4.5 mA -40 … +85 8pin-SOICN-EP
ISL6612A   GND — 0.3V … 7V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 7.2 mA -40 … +85 8pin-SOICN
ISL6612   15V 1.25/2 2.3 24V (200ns, VBOOT-PHASE=12V) 4. 5 mA 0 … +70 10pin-DFN
ISL6611A 2 канала -0.3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 27VDC, 30V (100ns) 2.5 mA 0 … +70 16pin-QFN
ISL6609A   -0.3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 15VDC, 30V (100ns) 0.132 mA -40 … +85 8pin-QFN, 8pin-SOICN
ISL6609   -0.3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 15VDC, 30V (100ns) 0.132 mA -40 … +85 8pin-QFN
ISL6608   -0.3V … 7V 2.2 2.4 22V 0.08 mA 0 … +70 8pin-SOICN
ISL6605   17V 2. 2 2.4 22V 0.002 mA -40 … +85 8pin-QFN
ISL6596   3.3 и 5 2.2 2.4 15VDC, 30V (100ns) 0.19 mA -40 … +85 10pin-DFN
ISL6594D   GND — 0.3V … 7V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 4.5 mA 0 … +70 10pin-DFN
ISL6594A   GND — 0.3V … 7V 1.25/2 2.3 15VDC, 30V (200ns) 8 mA 0 … +70 10pin-DFN
ISL6208C   -0.3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 30V 0.08 mA -40 … +100 8pin-DFN
ISL6208B   -0. 3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 30V 0.08 mA -40 … +100 8pin-DFN
ISL6208   -0.3V … VCC + 0.3V 2.2 2.4 30V 0.08 mA -40 … +85 8pin-QFN, 8pin-SOICN
HIP2106A   3.3 и 5 2.2 2.4 15VDC, 30V (100ns) 0.19 mA -40 … +85 10pin-DFN
HIP2105   2.2 2.4 GND — 0.3VDC GND — 8V (20ns) 0.19 mA 10pin-DFN

 

Микросхемы данного класса предназначены для применения в одно- и многофазных DC/DC преобразователях большой мощности.

 

Драйверы МОП-транзисторов | Microchip Technology

Комплексные конфигурации драйверов MOSFET для поддержки вашего следующего дизайна приложений


Драйвер MOSFET представляет собой тип усилителя мощности, который принимает маломощный входной сигнал от ИС контроллера и создает сильноточный входной сигнал для затвора мощного транзистора, такого как биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT). ) или силовой МОП-транзистор. Драйверы МОП-транзисторов полезны для работы МОП-транзисторов, поскольку сильноточный привод, подаваемый на затвор МОП-транзистора, уменьшает время переключения между стадиями включения / выключения затвора, что приводит к увеличению мощности и термической эффективности МОП-транзистора.

Наш разнообразный набор драйверов MOSFET поддерживает широкий спектр приложений, от источников питания постоянного тока до множества приложений для двигателей, обеспечивая при этом высокую гибкость конструкции, эффективность системы и надежную работу.

Читать далее

Драйверы силовых МОП-транзисторов


  1. Драйверы нижнего плеча
  2. Драйверы высокой стороны
  3. Драйверы высокой и низкой стороны
  4. Полумостовые драйверы
  5. Драйверы полного моста
  6. Драйверы трехфазных двигателей

Загрузка

Просмотреть все параметры

Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.

Загрузка

Просмотреть все параметры

Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.

Загрузка

Просмотреть все параметры

Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.

Загрузка

Просмотреть все параметры

Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.

Загрузка

Просмотреть все параметры

Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.

Загрузка

Просмотреть все параметры

Пожалуйста, посетите полную параметрическую диаграмму. Если вы все еще не можете найти диаграмму, которую вы ищете, пожалуйста, заполните нашу Форма обратной связи на сайте чтобы уведомить нас об этой проблеме.

Рекомендуемые продукты


Ничего не найдено

MCP14A0154/5

Драйверы MOSFET нижнего плеча (многоканальные)

6
Краткий обзор:
  • Быстрая, предсказуемая задержка и время переключения
  • Цифровые входы малой емкости
  • Высоковольтные, сильноточные выходы
  • Включение/отключение контактов управления
  • Доступен в корпусах DFN 2 × 2 и 2 × 3; среди самых компактных драйверов МОП-транзисторов в отрасли при соответствующем номинальном токе привода
  • Широкий диапазон температур для жестких условий эксплуатации

MCP14A1201

Драйвер 12A MOSFET: Низкий входной порог

Краткий обзор:
  • Высокий пиковый выходной ток: 12 А (номинал)
  • Широкий рабочий диапазон: от 4,5 В до 18 В
  • Низкий сквозной ток/ток перекрестной проводимости в выходном каскаде
  • Способность привода к высокой емкостной нагрузке: 15 000 пФ за 25 нс (типичное значение)
  • Короткие времена задержки: 28 нс (tD1), 28 нс (tD2) (тип. )
  • Малый ток питания: 360 мкА (тип.)
  • Вход порога низкого напряжения и включение с гистерезисом
  • Защита от защелкивания: выдерживает обратный ток 500 мА

Ресурсы для проектирования


Результатов не найдено

MPLAB® Analog Designer

Предоставляет предложения по проектированию общих схем, оценивает производительность для общих модификаций и может экспортировать в MPLAB™ ® .

MPLAB

® Аналоговый симулятор Mindi™

Использует среду SIMetrix/SIMPLIS для моделирования поведения схемы, сокращая время проектирования за счет отладки программного обеспечения для первоначальной проверки проекта.

Служба Power Check Design

Предоставляет рекомендации по точной физической компоновке схемы, делясь передовым опытом от опытного разработчика источников питания, чтобы физическое оборудование соответствовало моделированию.

Драйверы ворот | TI.

com

Выберите из нашего обширного портфеля изолированных, полумостовых драйверов и драйверов затвора нижнего плеча, которые поддерживают IGBT, GaNFET и SiCFET, чтобы оптимизировать свою конструкцию. Наши решения, ресурсы и опыт в области драйверов затворов облегчают вам проектирование эффективных, надежных и энергоемких систем.

Найдите своего водителя ворот с помощью приложения

Технологии с широкой запрещенной зоной

Высокоскоростные драйверы затворов GaN, обеспечивающие высокую удельную мощность и простоту конструкции для любой топологии

Сочетание быстрых временных характеристик, безвыводных корпусов и узкой амплитудно-импульсной характеристики наших драйверов позволяет быстро переключать полевые транзисторы. Дополнительные функции, такие как регулировка напряжения затвора, программируемое мертвое время и низкое внутреннее энергопотребление, гарантируют, что высокочастотное переключение обеспечивает максимально возможную эффективность.

параметрический фильтр Низкочастотные драйверы параметрический фильтр Полумостовые драйверы

Драйверы затворов из карбида кремния (SiC) для энергоэффективной, надежной и компактной конструкции системы

Повысьте эффективность своей конструкции за счет больших токов управления, высокого CMTI и коротких задержек распространения наших драйверов затворов SiC и IGBT. Наши драйверы затворов SiC помогут вам добиться надежной изоляции в вашей системе благодаря быстрой встроенной защите от короткого замыкания и высокой устойчивости к импульсным перенапряжениям. Уменьшите размер, вес и стоимость вашей системы, переключив SiC на более высокие частоты ШИМ с помощью наших быстрых, прочных и надежных драйверов.

параметрический фильтр Найдите свое устройство

Технические ресурсы

Дополнительная литература

Дополнительная литература

Основы схем драйверов затворов MOSFET и IGBT (заменяет SLUP169) (Rev. A)

В данных рекомендациях по применению демонстрируется системный подход к проектированию высокопроизводительных схем управления затворами для высокоскоростных коммутационных приложений.

документ-pdfAcrobat PDF

Ресурс

Ресурс

Драйвер затвора. Часто задаваемые вопросы (FAQ)

На этой странице часто задаваемых вопросов представлен упорядоченный обзор наших решений распространенных вопросов по драйверу затвора и проблем проектирования.

белая бумага

Технический документ

Воздействие изолированного драйвера затвора (версия A)

В этом техническом документе объясняются преимущества и требования изолированных драйверов затвора как функции переключателя питания.

документ-pdfAcrobat ПДФ

Ресурсы для проектирования и разработки

Базовый вариант

Эталонный проект силового каскада для преобразователей постоянного/постоянного тока
<100-VIN

В этом базовом проекте реализован высокочастотный силовой каскад на основе полумостового драйвера MOSFET UCC27282 120 В и CSD19.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *