D2058 datasheet на русском: Транзистор D2058 и его характеристики, datasheet, аналоги
Содержание
Транзистор D2058 и его характеристики, datasheet, аналоги
Главная » Транзисторы
Транзистор серии D2058 имеет неплохие характеристики для применения в усилителях низкой частоты. Благодаря наличию комплиментарной пары (2SB1366) он довольно часто встречается в простой двухканальной китайской акустике. Выделяется, прежде всего, низким максимальным напряжением насыщения VCE (SAT) до 1 В (при токах коллектора (IC) 2 А и базы (IB) всего в 0,2 мА) и высокими значениями коэффициента HFE до 300. Пластиковый корпус изделия (TO-220F), согласно техописания (datasheet), способен выдерживать рассеиваемую мощность вплоть до 25 Вт.
Содержание
Цоколевка
Характеристики транзистора D2058
Максимальные параметры
Электрические параметры
Аналоги
Применение
Производители
Цоколевка
Полное обозначение транзистора — «2SD2058». Первые два символа «2S» в маркировке корпуса не используются. Он встречается только в пластиковой упаковке TO-220F. Имеет следующую цоколевку (слева на право): левая ножка – вывод базы (Б), средняя – коллектор (К), а правая является эмиттером (Э). Корпус оснащен отверстием для крепления к радиатору.
Характеристики транзистора D2058
D2058 является биполярным полупроводниковым триодом имеющим NPN-структуру. Материал кристалла состоит из кремния (Si). Несмотря на широкое применение в УНЧ, в datasheet скромно указано о том, что перед нами «транзистор общего назначения». Рассмотрим его основные технические характеристики.
Максимальные параметры
Приведем основные максимальные значения параметров транзистора D2058 (при температуре окружающей среды (ТА) +25 oС):
предельно допустимые напряжения между выводами: К–Б (VCBO) до 60 В; К-Э (VCEO) до 60 В; Э-Б (VEBO) до 7 В;
токи: коллектора (IC) до 3 А; базы (IВ) до 0,5 А;
рассеиваемая коллекторная мощность (PC) до 25 Вт;
температуры: хранения (Tstg) -55 … 150°С; p-n-перехода при работе (TJ) до +150°С.
Указанные значения являются максимально возможными. В случае превышения любого из них, даже на незначительно короткий промежуток времени, устройство может выйти из строя.
Электрические параметры
Ниже представлены электрические параметры или номинальные значения характеристик при определенных условиях эксплуатацию. Последние приведены в отдельном столбце таблицы с названием «режимы измерений» при температуре нагрева кристалла (ТJ) до +25 oС (если не указано иного). Коэффициент усиления по току (HFE) может сильно разниться даже у одинаковых устройств. Это один из существенных недостатков D2058. В зависимости от символа в конце маркировки на корпусе, HFE может находится в следующих интервалах: от 60 до 120 (O), от 100 до 200 (Y), от 150 до 300 (G).
Аналоги
К сожалению полного аналога у D2058 не существует. В тоже время, найти ему подходящую замену, в случае выхода из строя, не должно стать проблемой. Наиболее близким и даже лучшим по параметрам считается 2SD2012 (TO-220F). Не менее достойной альтернативой можно назвать импортные транзисторы вроде: BD241C (TO-220), 2N6038 (ТО-126). Из отечественных — возможно подойдут КТ817В, КТ819В.
Применение
В видеоролике продемонстрирована одна из возможностей применения D2058 и создания на его основе простого двухканального усилителя. Состав электронных компонентов минимальный, а схема не требует особенных познаний в электронике. При сборке используются наиболее распространенные из этой серии транзисторы с HFE от 100 до 200 (группа Y).
Производители
Компаний, занимающихся производство транзистора D2058 очень много, преимущественно китайских. Скачайте datasheet от наиболее известных из них можно по ссылкам: Inchange Semiconductor, Savantic. Найти подробные устройства в России практически невозможно. Поэтому многие радиолюбители приобретают их на специализированных виртуальных интернет-площадках.
D2058 — низкочастотный транзистор биполярного типа с NPN структурой. Конструктивное исполнение: TO-220F. Существуют маркировки в виде: 2SD2058, KTD2058. В целом, все эти модели практически одинаковые, при этом имеются небольшие различия в отдельных характеристиках, согласно даташитам.
Содержание
Корпус, цоколевка
Применение
Особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Электрические параметры
Время переключения транзисторов
Классификация по величине hFE
Комплементарная пара
Аналоги
Основные графические зависимости
Корпус, цоколевка
Применение
D2058 — транзистор общего применения. Одно из самых распространенных применений — сборка усилителей низкой частоты. Транзистор имеет комплементарную пару, что позволяет собирать на их основе двухканальные усилители.
Особенности
Наличие комплементарной пары;
Невысокое значение напряжения насыщения коллектора;
Невысокое значение рассеивающейся мощности.
Предельные эксплуатационные характеристики
Характеристика
Обозначение
Величина
Пробивное напряжение коллектор-база
UCBO
60 В
Граничное напряжение транзистора
UCEO
60 В
Пробивное напряжение эмиттер-база
UEBO
7 В
Максимальный ток коллектора
IC
3 A
Максимальный ток базы
IB
0.5 А
Рассеиваемая мощность
PC
Не более 25 Вт
Максимальная температура при переходе
TJ
+150 °C
Максимальная температура при хранении
Tstg
От –55 до +150 °C
Электрические параметры
Значение, которые приводятся в таблице, были получены при температуре в 25 °C. Условия тестирования для обеих моделей транзисторов были идентичны. Для удобства те характеристики, которые отличаются, были выделены.
Характеристика
Обозначение
2SD2058 (D2058)
KTD2058
Пробивное напряжение коллектор база
U(BR)CBO
60 В
60 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
UCE(sat)
1.5 В
1 В
Напряжение на переходе база-эмиттер
UBE
3 В
1 В
Обратный ток коллектора
ICBO
10 мкА
1 мкА
Обратный ток эмиттера
IEBO
1 мА
1 мкА
Статический коэффициент усиления по току
hFE
60..300
60..300
Граничная частота коэффициента передачи тока
fT
3 МГц
3 МГц
Выходная емкость
COB
35 пФ
35 пФ
Время переключения транзисторов
Характеристика
Обозначение
Значение
Время необходимое для открытия транзистора
ton
0. 65 мкс
Время задержки для накопленного заряда на транзисторе
tstg
1.3 мкс
Время необходимое для закрытия транзистора
tf
0.65 мкс
Классификация по величине h
FE
На корпусе диода, кроме маркировки названия, располагается одна из следующих букв, которая обозначает класс усиления:
Класс О – коэффициент передачи находится в диапазоне от 60 до 120;
Класс Y– коэффициент передачи находится в диапазоне от 100 до 200;
Класс G – коэффициент передачи находится в диапазоне от 150 до 300;
Комплементарная пара
Для транзистора 2SD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор 2SB1366.
Для транзистора KTD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор KTB1366.
Аналоги
Так как параметры транзисторов KTD2058 и D2058 практически идентичны, в таблице приведены аналоги для обоих компонентов.
Тип
Uce
Ucb
Ueb
Ic
Pc
hfe
ft
Оригинал
2SD2058 (D2058)
60 В
60 В
7 В
3 А
25 Вт
60..300
3 МГц
Зарубежные аналоги
2SB747
80 В
80 В
5 В
5 А
40 Вт
40..200
7 МГц
2SD1761
60 В
80 В
5 В
3 А
30 Вт
60..320
8 МГц
MJE15028
120 В
120 В
5 В
8 А
50 Вт
От 40
30 МГц
TIP42D
120 В
160 В
5 В
6 А
65 Вт
От 15
3 МГц
BDT85
100 В
100 В
7 В
15 А
125 Вт
От 40
10 МГц
TPL710
100 В
100 В
7 В
7 А
30 Вт
От 1500
20 МГц
Отечественные аналоги
КТ817B
60 В
60 В
—
3 А
25 Вт
25. .275
3 МГц
Стоит отметить, сильную схожесть по параметрам для отечественного аналога.
Основные графические зависимости
Рис 1. Область безопасной работы транзистора.
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 4. Зависимость значения тока на коллекторе от значения напряжения на переходе коллектор-эмиттер.
Рис 5. Зависимость рассеиваемой мощности от роста температуры окружающей среды.
D2058 Цена — D2058 в наличии
Видео о продукте Изображение продукта
Продажи: 1
113521
5,0 из 5 звезд
1 звезда 0,3%
2 звезды 0%
3 звезды 0,2%
4 звезды 0,4%
5 звезд 99,1%
Всего продуктов: 2400319
Всего продаж: 11157747
Среднее время выполнения заказа: 0 часов
Сроки доставки (Экспресс): 0
Время доставки (Почтовое отделение): 0
Любимый
НОВЫЙ
Сертифицированный оригинал Utsource
Сертифицированные оригинальные детали Utsource предоставляют следующие гарантии:
1. Utsource гарантирует 100% оригинал.
2. Оригинальные детали, сертифицированные Utsource, могут быть безоговорочно возвращены и возмещены в течение 90 дней.
Описание
Кремниевый транзистор TOSHIBA PNP эпитаксиального типа
Все названия продуктов, товарные знаки, бренды и логотипы, используемые на этом сайте, являются собственностью соответствующих владельцев. Изображение, описание или продажа продуктов с этими названиями, товарными знаками, брендами и логотипами предназначены только для целей идентификации и не предназначены для указания на какую-либо принадлежность или разрешение какого-либо правообладателя.
Модуль ECAD
Атрибуты продукта
Некоторые номера деталей того же производителя
UPD43256BGU-70LL-A 256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT 4559C ДВОЙНОЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ C3911C Защита литий-ионного аккумулятора C6254CX B572C Многослойные керамические конденсаторы 48C21 Повышающий DC/DC преобразователь PSM UPC4560 ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЙ ДВОЙНОЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ S21MS High Density Surface Mount Type Mini-flat Package Phototriac Coupler
Богатый ассортимент, вы можете найти все электронные компоненты основных мировых брендов
UTSOURCE — это глобальная платформа электронных компонентов. Мы можем предоставить продукты разных марок и разных кодов даты, особенно для устаревших и труднодоступных электронных компонентов. Мы предоставляем следующие бренды: Analog Devices (ADI) MAXIM, Texas Instruments (TI), Toshiba, Xilinx, Renesas, Eltek NSC, Altera, NXP, ON, LINEAR, ALLEGRO, Diodes Incorporated, Cypress Semiconductor, AVX, IDT, Intel, Nexperia, KEMET, FAIRCHILD, ROHM, Hongfa, TE, Autonics, Honeywell, Molex, Freescale, Panasonic, OMRON, Amphenol, Murata, ST, VISHAY, MICROCHIP, FLUKE, Dallas, Yageo, Broadcom и так далее.
Utsource ФБУ сервис
Utsource — это глобальная платформа онлайн-сервиса электронных компонентов, на которой собрано множество выдающихся поставщиков. Utsource предоставляет услугу FBU (Fulfillment by Utsource), это интегрированная услуга для пользователей малого и среднего бизнеса (малых и средних предприятий). Особенности: высокая эффективность, высокая скорость, безопасность и удобство.
Высокая эффективность
Высокая скорость
Безопасность
Удобство
Купить Электронные компоненты, микросхемы, модуль, Дарлингтон, конденсатор, найти микросхемы, диоды, транзисторы, датчики, IGBT на Utsource.
Мой счет
Диспетчер спецификаций
Информация о продавце
Управление возвратом и возмещением
Избранное
Историческая покупка товаров
Счет средств
Субсчет
Делиться
Настройки
Разработчик
Выйти
Он встречается только в пластиковой упаковке TO-220F. Имеет следующую цоколевку (слева на право): левая ножка – вывод базы (Б), средняя – коллектор (К), а правая является эмиттером (Э). Корпус оснащен отверстием для крепления к радиатору.
Наиболее близким и даже лучшим по параметрам считается 2SD2012 (TO-220F). Не менее достойной альтернативой можно назвать импортные транзисторы вроде: BD241C (TO-220), 2N6038 (ТО-126). Из отечественных — возможно подойдут КТ817В, КТ819В.
Скачайте datasheet от наиболее известных из них можно по ссылкам: Inchange Semiconductor, Savantic. Найти подробные устройства в России практически невозможно. Поэтому многие радиолюбители приобретают их на специализированных виртуальных интернет-площадках.
Одно из самых распространенных применений — сборка усилителей низкой частоты. Транзистор имеет комплементарную пару, что позволяет собирать на их основе двухканальные усилители.
Условия тестирования для обеих моделей транзисторов были идентичны. Для удобства те характеристики, которые отличаются, были выделены.
65 мкс
.275
Utsource гарантирует 100% оригинал.
12.2021
11.2021
08.2021
Utsource предоставляет услугу FBU (Fulfillment by Utsource), это интегрированная услуга для пользователей малого и среднего бизнеса (малых и средних предприятий). Особенности: высокая эффективность, высокая скорость, безопасность и удобство.
