Mosfet sic: Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs — Infineon Technologies

Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

15 октября 2020

телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияWolfspeedстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCзарядное устройство для электромобиляисточник питания для телекомапреобразователь собственных нужд для метро/локомотива

Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed)

Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов. Применение компонентов в этих корпусах позволяет уменьшить потери и упростить разработку двадцатикиловаттного активного выпрямителя для станций быстрой зарядки электромобилей.

Прогресс в области широкозонных полупроводниковых материалов позволил создать карбид-кремниевые полевые транзисторы (SiC MOSFET) с повышенной рабочей частотой, обеспечивающие меньшие потери на переключение.

Усовершенствованные корпуса с малой паразитной индуктивностью, в которых выпускаются такие транзисторы, позволяют разработчикам в полной мере использовать возможности этих компонентов для увеличения КПД силовых преобразователей и, как следствие, для уменьшения расхода электроэнергии конечным потребителем. Простые и вместе с тем эффективные доработки серийно выпускаемых корпусов дискретных полупроводниковых приборов обеспечивают значительное улучшение эксплуатационных характеристик SiC MOSFET и, в то же время, позволяют отказаться от новых типов корпусов, применение которых непременно сказалось бы на стоимости и удобстве разработки готовых преобразователей.

С появлением новейших SiC MOSFET семейства C3M™ компании Wolfspeed ограничительными факторами для динамических характеристик изделий на базе этих транзисторов стали их корпусная паразитная индуктивность и топология печатной платы. MOSFET семейства C3M способны за десятки наносекунд коммутировать сотни вольт и десятки ампер. Но большое значение индуктивности истока в случае обычного корпуса TO-247-3 (обусловленное как индуктивностью соединительного проводника между кристаллом и выводом истока, так и индуктивностью самого вывода) приводит к возникновению отрицательной обратной связи, ограничивающей достижимое значение di/dt, а также увеличивающей потери на переключение.

Как показано на рисунке 1 (верхний ключ), индуктивность истока Q1 (L_S1) и, соответственно, падение на ней напряжения оказываются общими для контура управления затвором и силового контура. Во время резкого изменения тока через ключ при переключении это напряжение вычитается из напряжения, формируемого драйвером затвора (V_DRV1). Как результат, снижается напряжение «затвор-исток» непосредственно на кристалле MOSFET, что значительно уменьшает скорость переключения, потери же на переключение при этом растут.

Один из путей решения данной проблемы – использование новых вариантов корпусов с дополнительным выводом истока KS (так называемый вывод по схеме Кельвина). Этот вывод соединяется с общим проводом драйвера затвора, как показано на рисунке 1 (нижний ключ Q2). В случае изолированного драйвера (V_DRV2) падение напряжения на индуктивности истока не оказывает влияния на контур управления затвором. В результате петля отрицательной обратной связи разрывается, что дает возможность снизить потери на переключение и существенно увеличить его скорость.

Максимальное значение di/dt, обеспечиваемое транзистором в корпусе TO-247-3L, ограничено из-за падения напряжения на суммарной индуктивности истока LS1, которое вычитается из напряжения управления затвором VDRV1. Использование корпуса TO-247-4L с дополнительным кельвиновским выводом истока в сочетании с изолированным драйвером затвора VDRV2 снимает это ограничение и тем самым существенно снижает потери на переключение.

Рис. 1. Условная схема одного плеча моста на MOSFET с верхним ключом (Q1) в корпусе TO-247-3L и нижним ключом (Q2) в корпусе TO-247-4L

Wolfspeed разработала новые варианты корпуса SiC MOSFET с отдельным выводом истока по схеме Кельвина; в таблице 1 вы найдете базовые характеристики транзисторов, выпускаемых в этих корпусах. Первый вариант – это корпус TO-263-7 для поверхностного монтажа, специально разработанный для MOSFET, рабочее напряжение которых не превышает 1700 В. Место, занимаемое этим корпусом на плате, на 52% меньше, чем у корпуса D3PAK, в котором обычно выпускаются компоненты на напряжение 1200…1700 В. В новом корпусе предусмотрено пять выводов истока, соединенных параллельно – такое решение значительно снижает индуктивность истока в силовом контуре в сравнении с другими корпусами для поверхностного монтажа. Второй вариант – корпус TO-247-4L для монтажа в отверстия, длина пути утечки «сток – исток» у него составляет 8 мм.

Таблица 1. SiC MOSFET компании Wolfspeed в корпусах с выводом истока, выполненным по схеме Кельвина

Наименование	Rds(on), мОм	Напряжение, В	Корпус
C3M0065090J	65	900	TO-263-7L
C3M0120090J	120	900
C3M0280090J	280	900
C3M0065100J	65	1000
C3M0120100J	120	1000
C3M0075120J	75	1200
C2M1000170J	1000	1700
C3M0010090K*	10	900	TO-247-4L
C3M0065100K	65	1000
C3M0120100K	120	1000
C3M0075120K	75	1200
* – готовится к выпуску.

Результаты измерений: оценка улучшения динамических характеристик

В ходе испытаний (коммутация шунтированной диодом индуктивной нагрузки) подтвердилось улучшение динамических характеристик транзисторов в корпусах новых типов, указанных в таблице 1. На рисунке 2 приведены графики напряжения «сток-исток» и тока стока для кристалла MOSFET (1000 В, 65 мОм) в корпусах TO-263-7L (с включенным по кельвиновской схеме выводом истока) и TO-247-3L (без добавленного вывода истока) в случае коммутации 600 В/40 А нагрузки. Даже для такого, сравнительно небольшого, кристалла MOSFET при наличии в цепи затвора десятиомного резистора время открытия уменьшилось с 72 нс до 27 нс, что соответствует росту скорости переключения в 2,6 раза.

Рис. 2. Изменение напряжения и тока при открытии одинаковых SiC MOSFET в разных корпусах

Поскольку этот эффект зависит от характеристики di/dt MOSFET, можно предположить, что наибольшее снижение потерь при переключении будет достигнуто для сильноточных MOSFET с большой площадью кристалла и достаточно малым сопротивлением в цепи затвора. Во втором испытании на коммутацию индуктивной нагрузки тестировался кристалл MOSFET с номинальным напряжением 900 В, сопротивлением открытого канала 10 мОм и с управляющим напряжением V_GS = -4/+15 В при R_G = 5 Ом и V_DD = 600 В. Рисунок 3 отражает взаимосвязь динамических потерь и тока стока для транзистора в корпусах – стандартном TO-247-3L (слева) и новом TO-247-4L, с отдельным выводом, включенным по схеме Кельвина (справа). В обоих случаях измеренные значения включают потери на внутреннем, шунтирующем диоде верхнего MOSFET. Графики показывают 3,5-кратное уменьшение потерь на переключение при коммутации тока, близкого к номинальному. SiC MOSFET могут работать и на более высоких частотах в схемах мягкой коммутации или в резонансных схемах, обычно использующихся в DC/DC-преобразователях внебортовых и бортовых быстрых зарядных устройств постоянного тока [2].

Рис. 3. Связь энергии динамических потерь и тока стока для корпусов TO-247-3L и TO-247-4L SiC MOSFET (10 мОм, 900 В)

Пример применения: экономичный активный выпрямитель (AFE) мощностью 20 кВт для станций быстрой зарядки электромобилей

Бурное развитие электротранспорта открыло новые возможности для внедрения SiC MOSFET как на автомобилях, так и в сопутствующей инфраструктуре. Полумостовые схемы с жесткой коммутацией используются в DC/DC-преобразователях, тяговых приводах и в активных выпрямителях с ККМ, применяемых в устройствах для заряда. Также SiC MOSFET могут работать на более высоких частотах в схемах с мягкой коммутацией или резонансных схемах, обычно применяющихся в DC/DC-преобразователях быстрых зарядных устройств постоянного тока, как бортовых, так и внебортовых.

Рис. 4. Упрощенная схема силового каскада и выполненный по ней типовой образец активного выпрямителя на 20 кВт на базе MOSFET C3M0065100K

Таким образом, применение новых типов корпусов с кельвиновской схемой вывода истока обеспечивает заметное уменьшение потерь на переключение при коммутации в жестком режиме. Динамические характеристики, обеспечиваемые конструкцией корпуса, а также такие параметры SiC MOSFET семейства C3M на напряжение 1000 В как малые потери проводимости в рабочем диапазоне температур, малое значение QRR паразитного диода и более высокая линейность изменения выходной емкости позволили разработчикам по новому подойти к некоторым известным простым схемам с двухуровневой топологией.

Чтобы продемонстрировать эти достоинства на практике, специалисты Wolfspeed разработали и испытали двухуровневый активный выпрямитель мощностью 20 кВт на основе SiC MOSFET (рисунок 4). Он может использоваться в качестве входного каскада станции быстрой зарядки электромобилей.

В каждом ключе указанного выпрямителя находится по два MOSFET C3M0065100K. Дополнительные антипараллельные диоды отсутствуют. Частота коммутации 48 кГц призвана обеспечить баланс между стоимостью дросселей фаз, КНИ фазового тока и простотой конструкции ЭМИ-фильтра (частота третьей гармоники ниже 150 кГц). Дроссели фаз выполнены на сердечнике AMCC 50 Metglass 2605SA1, имеют индуктивность 400 мкГн и  обмотку из медной фольги. Для управления ключами по методу векторной ШИМ используется микроконтроллер TMS320F28335. Длительность мертвого времени была уменьшена до ~100 нс, чтобы снизить искажения формы сигнала в окрестностях точки перехода фазного напряжения через ноль. Итоговые графики КПД и КНИ, построенные по результатам измерений, приведены на рисунке 5.

Эти графики свидетельствуют о том, что разработчикам удалось достичь технических показателей, к которым они стремились.

Рис. 5. Зависимость КПД и КНИ двухуровневого активного выпрямителя на SiC MOSFET от выходной мощности (слева) и сравнение КПД и оценочных значений плотности мощности с характеристиками выпрямителей типа «Vienna» с кремниевыми диодами (справа)

По сравнению с популярной трехуровневой топологией выпрямителя типа «Vienna» на основе кремниевых диодов, предложенное решение позволяет уменьшить потери мощности более чем на 30% (экономия электроэнергии), имеет более простую схему и более простое управление, сокращает список комплектующих, а также обеспечивает передачу энергии в обоих направлениях (технология V2G). Более подробную информацию о рассмотренном прототипе выпрямителя и о его сравнении с выпрямителем типа «Vienna» можно найти в [1].

Выводы

Ожидается, что в течение ближайших лет мировой рынок силовых полупроводниковых компонентов, используемых в автомобилестроении, вырастет более чем на 3 миллиарда долларов [3]. В связи с этим ключевым фактором, влияющим на повсеместное распространение электромобилей, становится наличие высокоэффективных быстрых зарядных устройств, как бортовых, так и внебортовых. Новые недорогие корпуса дискретных SiC MOSFET позволят разработчикам увеличить эффективность преобразования этих устройств, их удельную мощность, и, в конечном счете, снизить расход электроэнергии конечным потребителем. Разработанный типовой образец двухуровневого активного выпрямителя доказал, что обладающие превосходными характеристиками SiC MOSFET-транзисторы семейства C3M компании Wolfspeed даже при использовании простых топологии и метода управления обеспечивают 30-процентное снижение потерь мощности.

Литература

1. A. Barkley, M. Schupbach, B. Agrawal, S. Allen, New 1000V SiC MOSFETs Enable Improved Efficiency, Density, and Cost Tradeoff Space for PFCs, Proceedings of the 32nd Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2017), Tampa, FL, USA, March 26-30, 2017.
2. J. Mookken, Fast Charging EV with the Latest 1kV 3rd Generation SiC MOSFET. Proceedings of the 32nd Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2017), Tampa, FL, USA, March 26-30, 2017.
3. IHS 2017.

                   Перевел Андрей Евстифеев по заказу АО КОМПЭЛ

•••

SiC MOSFET модули.

НОВОСТИ Обновленная линейка SiС диодных силовых модулей! 12/12/2022 Теперь на нашем сайте доступен обновленный каталог SiC диодных силовых модулей — 1200В\1700В SiC Schottky диодные модули. Новая линейка силовых модулей с драйверами управления! 22/11/2022 На нашем сайте стали доступны каталоги новых линеек силовых модулей с интегрированным драйвером управления — 1200В SiC MOSFET+DRV (K1) второго поколения (Gen2), а также 1200В\1700В IGBT+DRV (БТИЗ) NPT+ поколения Е1.  Новая линейка SiС силовых модулей — 1200В SiC MOSFET второго поколения! 12/09/2022 На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки SiС силовых модулей — 1200В SiC MOSFET (K1) второго поколения (Gen2). Новая линейка Si силовых модулей — 1200В\1700В IGBT NPT+ поколения Е1! 31/08/2022 На нашем сайте стал доступен каталог новой линейки Si силовых модулей — 1200В\1700В IGBT (БТИЗ) NPT+ поколения Е1. Новые линейки силовых модулей! 08/06/2021 АО НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ» успешно внедрило в производство новейшие линейки силовых модулей, разработанные в рамках выполнения опытно-конструкторских работ (ОКР) «Силовик-И4» и «Сила-И6». ..подробнее. Важная информация!  Здравствуйте!  Наш сайт находится в процессе реконструкции и наполнения свежей информацией в режиме реального времени, поэтому если у вас возникли вопросы и предложения связанные с нашей деятельностью — обращайтесь за консультацией к нашим специалистам и представителям компании.  И не забывайте следить за обновлениями! Силовые модули на базе SiC MOSFET:  Данная страница посвящена выпускаемым нашим предприятием новейшим силовым модулям, в основе которых лежат SiC (карбидкремниевые) MOSFET-транзисторы. Отличительными чертами SiC MOSFET является: более высокие пробивные напряжения вкупе с более низким сопротивлением канала в открытом состоянии при сопоставимых токах стока кремниевых транзисторов; высокие плотности тока транзисторов, вплоть до 5·103 А/см2; сравнительно малые габариты кристаллов, в связи с малым удельным сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и хорошей теплопроводностью; малые токи утечки; высокие допустимые рабочие температуры; высокая предельная скорость носителей тока в материале позволяет повысить частотный потенциал транзисторов по сравнению с кремниевыми; стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени. Благодаря этому модули на их основе имеют высокую надёжность, высокое быстродействие и хорошую управляемость, низкие статические и динамические потери. Более подробно о карбиде кремния (SiC), как о материале полупроводниковой электроники вы можете прочитать здесь. Все приборы имеют встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с ”мягкими” характеристиками обратного восстановления. Корпус модуля имеет изолированное медное основание (беспотенциальный). Область применения SiC MOSFET модулей: установки индуктивного нагрева; частотные преобразователи; преобразователи электроэнергии с мягкой коммутацией; бесконтактные коммутаторы устройств импульсного электропитания; автомобильная электроника. Также вы всегда можете получить консультацию наших специалистов по всем интересующим вас вопросам разработок, ТЗ и изобретений, связавшись с ними при помощи контактной информации размещенной здесь. Рис. 1 – Условные обозначения, формирующие название выпускаемых SiC MOSFET-модулей Электрическая схема выпускаемых SiC MOSFET-модулей: Чуть ниже приведены электрические схемы выпускаемых нашим предприятием SiC MOSFET-модулей. Таблица 1 – Электрическая схема SiC MOSFET-модулей и применяемый корпус Рисунок 2.1 – Схема модуля М2ТКПК Рисунок 2.2 – Схема модуля М4ТКПК Рисунок 2.3 – Схема модуля МС4ТКПК Рисунок 2.4 – Схема модуля М6ТКПК Основные эксплуатационные характеристики SiC MOSFET модулей: максимальное напряжение затвор — исток Vgs(max) в пределах -10/+25 В; пробивное напряжение изоляции силовых выводов Visol не более 2500 В; максимально допустимая мощность рассеивания Pmax не более 250 Вт; температура эксплуатации Tj от -55 до 125 °С; температура хранения Tstg от -55 до 125 °С. Перечень силовых SiC MOSFET-модулей и их основные характеристики: Ниже будет представлен полный и актуальный спектр выпускаемых нашим предприятием силовых SiC MOSFET-модулей, а также указаны их подробные характеристики, тип электрической схемы, а также применяемый при корпусировании корпус. Таблица 2 – Перечень выпускаемых SiC MOSFET-модулей Наименование  силового SiC модуля Основные характеристики Корпус модуля Рис. Схема модуля Рис. Data Sheet Характеристики транзистора Характеристики диода Uds,max. Id,max. при 25 °С; 100 °С Rds(sat) при 25 °С; 125 °С Id,max. при 25 °С; 100 °С UF при 25 °С; 125 °С В А мОм А В М2ТКПК – 1200В М2ТКПК-90-12 1200 90 60 25 43 90 60 3,3 3,0 3.1 2.1 М2ТКПК-180-12 1200 180 120 12,5 23 180 120 3,3 3,0 М2ТКПК-360-12 1200 360 240 6,2 11 360 240 3,3 3,0 М2ТКПК-540-12 1200 540 360 4,2 7,2 540 360 3,3 3,0 М4ТКПК – 900В, 1200В М4ТКПК-196-9 900 196 140 10 196 140 3,3 3,0 3. 2 2.2 М4ТКПК-90-12 1200 90 60 25 43 90 60 3,3 3,0 М4ТКПК-180-12 1200 180 120 12 22 180 120 3,3 3,0 МС4ТКПК – 900В, 1200В МС4ТКПК-196-9 900 196 140 10 196 140 3,3 3,0 3.3 2.3 МС4ТКПК-90-12 1200 90 60 25 43 90 60 3,3 3,0 МС4ТКПК-180-12 1200 180 120 12 22 180 120 3,3 3,0 М6ТКПК – 1200В М6ТКПК-90-12 1200 90 60 25 43 90 60 3,3 3,0 3. 2 2.4 М6ТКПК-180-12 1200 180 120 12,5 21,5 180 120 3,3 3,0 В таблице 3 представлены изображения  корпусов используемых при корпусировании SiC MOSFET-модулей, данные изображения являются трехмерными моделями, более подробно с габаритными размерами и конструкцией можно ознакомиться на странице «Корпуса модулей». Таблица 3 — Применяемые корпуса (нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение) (нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение) Рисунок 3.1 – Модель корпуса АДТГ.735314.001  размерами 94×34×35 мм Рисунок 3.2 – Модель корпуса АДТГ.685171.001  размерами 122х62х20,5 мм (нажмите на картинку, чтобы увеличить изображение) Рисунок 3. 3 – Корпус модуля АДТГ.685171.001 размерами 122х62х20,5 мм совместно с драйвером

© 2007 — 2023 ОАО НПО ЭНЕРГОМОДУЛЬ Создание, веб дизайн, поддержка сайтов megagroup.ru

Карбид-кремниевые МОП-транзисторы CoolSiC™ — Infineon Technologies

Обзор

Карбид-кремниевые решения CoolSiC™ MOSFET — это следующий важный шаг на пути к энергосберегающему миру.

Подкатегории МОП-транзисторов CoolSiC™ из карбида кремния

Основываясь на большом опыте и ноу-хау в области совместимости, Infineon представляет революционную технологию CoolSiC™ MOSFET, позволяющую разрабатывать принципиально новые продукты. По сравнению с традиционными переключателями на основе кремния, такими как IGBT и MOSFET, силовые полевые МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) обладают рядом преимуществ. Продукты CoolSiC™ MOSFET на 2000 В, 1700 В, 1200 В и 650 В предназначены для фотоэлектрических преобразователей, зарядки аккумуляторов, накопителей энергии, электроприводов, ИБП, вспомогательных источников питания и импульсных источников питания.

Технология Silicon Carbide MOSFET

Технология CoolSiC™ MOSFET на основе карбида кремния обеспечивает лучшую производительность, надежность и простоту использования для разработчиков систем. Мощные транзисторы на основе карбида кремния (SiC) открывают перед разработчиками новые уровни гибкости, позволяющие использовать невиданный ранее уровень эффективности и надежности. Технология высоковольтных МОП-транзисторов CoolSiC™ также обеспечивает впечатляющие улучшения характеристик обратного восстановления.

Продукты CoolSiC™

Карбид кремния CoolSiC™ МОП-транзисторы Infineon обеспечивают высокую эффективность и оптимальную надежность. Наш ассортимент продукции доступен в дискретном корпусе, а также в модулях классов напряжения 650 В, 1200 В, 1700 В и 2000 В. Наш ассортимент МОП-транзисторов CoolSiC™ включает дискретные МОП-транзисторы с карбидом кремния и модули МОП-транзисторов с карбидом кремния. Силовые модули SiC MOSFET выпускаются в трехуровневой, четырехкомпонентной, полумостовой, шестикомпонентной и бустерной конфигурациях.

Задайте вопрос сообществу производителей карбида кремния

Сообщество разработчиков Infineon доступно круглосуточно и без выходных, чтобы вы могли общаться и общаться с инженерами по всему миру. Получите помощь от инженеров службы поддержки Infineon и экспертов, чтобы решить свои проблемы проектирования в любое время, в любом месте, по любой теме и на предпочитаемом вами языке.

Задайте вопрос сообществу

Продукты

Основные моменты

CoolSiC™ MOSFET предлагает ряд преимуществ. К ним относятся самые низкие уровни заряда затвора и емкости устройства, наблюдаемые в переключателях SiC, отсутствие потерь обратного восстановления встречно-параллельного диода, не зависящие от температуры низкие потери переключения и беспороговые характеристики в открытом состоянии.

Уникальный МОП-транзистор CoolSiC™ от Infineon добавляет дополнительные преимущества. Превосходная надежность оксида затвора, обеспечиваемая современной траншейной конструкцией, лучшими в своем классе потерями на переключение и проводимость, самым высоким уровнем крутизны (усиления), пороговым напряжением Vth = 4 В и устойчивостью к короткому замыканию. Это революция, на которую вы можете положиться.

Все это привело к созданию надежной технологии MOSFET на основе карбида кремния, идеально подходящей для топологий жесткого и резонансного переключения, таких как LLC и ZVS, которые могут управляться как IGBT или MOSFET с помощью простых в использовании драйверов. Обеспечение высочайшего уровня эффективности при высоких частотах переключения позволяет уменьшить размер системы, увеличить удельную мощность и обеспечить высокую надежность в течение всего срока службы.

Преимущества

• Высочайшая эффективность при снижении затрат на охлаждение
• Более длительный срок службы и более высокая надежность
• Работа на более высокой частоте
• Снижение стоимости системы
• Повышенная удельная мощность
• Снижение сложности системы
• Простота проектирования и реализации

Особенности

• Малая емкость устройства
• Потери при переключении, не зависящие от температуры
• Внутренний диод с низким зарядом обратного восстановления
• Беспороговые характеристики открытого состояния

Возможные области применения

• Фотоэлектрические инверторы
• Зарядка и формирование аккумулятора
• Сервер и телекоммуникационная мощность
• Сервоприводы и электроприводы
• Аккумулятор энергии и ИБП
• Промышленные СМП
• Вспомогательные источники питания

Ассортимент продукции

Первые продукты CoolSiC™ MOSFET в различных корпусах

Корпус TO-247-4pin содержит дополнительное соединение с истоком (соединение Кельвина), которое используется в качестве опорного потенциала для управляющего напряжения затвора, тем самым устраняя влияние падения напряжения на индуктивность источника. В результате коммутационные потери даже ниже, чем у версии TO247-3pin, особенно при более высоких токах и более высоких частотах коммутации. Модули CoolSiC™ MOSFET Easy обладают очень хорошим тепловым интерфейсом, низкой паразитной индуктивностью и прочной конструкцией, а также соединениями PressFIT. В то время как диапазоны малой мощности идеально подходят для семейства Easy, инверторы средней мощности 250+ кВт лучше всего подходят для использования в корпусе 62 мм. МОП-транзисторы HybridPACK™ Drive CoolSiC™ соответствуют стандарту AQG-324 и оптимизированы для мощных автомобильных тяговых инверторов мощностью более 180 кВт. Это простой в установке модуль SixPack для прямого водяного охлаждения с опорной платой со штифтовыми ребрами, поддерживающий эффективный и оптимизированный для больших объемов процесс сборки.

Первый в мире высокопроизводительный CIPOS™ Maxi SiC IPM 1200 В в самом маленьком и компактном корпусе

CoolSiC™ MOSFET на основе CIPOS™ Maxi IPM серии IM828 — это первый в мире 1200-вольтовый формованный карбидокремниевый IPM, в который интегрирован оптимизированный 6-канальный драйвер затвора SOI 1200 В и 6 CoolSiC™ MOSFET.
Самый маленький и компактный блок в классе 1 200 В IM828-XCC сочетает в себе номинальную мощность более 4,8 кВт с исключительной удельной мощностью, надежностью и производительностью.

> Узнайте больше о CIPOS™ Maxi

SiC MOSFET 650 В и 1200 В ИС драйвера затвора

Со сверхбыстродействующими силовыми транзисторами, такими как МОП-транзисторы CoolSiC™, проще обращаться с помощью изолированных выходных секций затвора. Поэтому гальванически изолированные микросхемы EiceDRIVER™, основанные на технологии трансформаторов Infineon без сердечника, рекомендуются как наиболее подходящие.

> Подробнее о микросхемах EiceDRIVER™ для карбидокремниевых полевых МОП-транзисторов

Документы

Поддержка дизайна

Видео

Делиться Делиться

Партнеры

Обучение

Вебинары CoolSiC™ MOSFET

Si, SiC или GaN? Правильный выбор для силовых устройств

Посмотрите наш веб-семинар, чтобы узнать больше о технологическом позиционировании кремния по сравнению с силовыми устройствами на основе SiC и GaN как для приложений с высоким, так и с низким энергопотреблением.

Микрообучение CoolSiC™ MOSFET

Усовершенствованная серия CoolSiC™ MOSFET M1H в лучших в своем классе корпусах — модули Easy

К концу этого обучения вы познакомитесь с технологией CoolSiC™ MOSFET 1200 В M1H для модулей Easy, а также с постоянно расширяющимся портфелем модулей Infineon Easy в в области материалов с широкой запрещенной зоной и узнать об основных функциях и преимуществах нашей последней серии M1H 1200 V.

МОП-транзистор CoolSiC™ в зарядных устройствах электромобилей

В связи с растущим рынком электромобилей отрасль выдвигает дополнительные требования к характеристикам зарядных устройств.

Это электронное обучение покажет вам, что появление полевых МОП-транзисторов CoolSiC™ улучшило индустрию зарядных устройств, сделав зарядные устройства для электромобилей меньше, быстрее и с большей эффективностью.

МОП-транзистор CoolSiC™ в сервоприводах

В этом учебном курсе вы познакомитесь с тем, как CoolSiC™ поможет в разработке сервоприводов следующего поколения.

Насколько легко управлять полевым транзистором CoolSiC™?

Управление полевым транзистором CoolSiC™ намного проще, чем вы думаете. Это обучение покажет вам, как можно управлять им при напряжении запирания 0 В.

Как выбрать драйвер затвора для SiC MOSFET и модулей SiC MOSFET

В ходе этого обучения вы узнаете, как рассчитать эталонное значение сопротивления затвора для вашего карбид-кремниевого MOSFET, как определить подходящие ИС управления затвором на основе требований к пиковому току и рассеиваемой мощности и для точной настройки значения сопротивления затвора в лабораторных условиях на основе наихудших условий.

Как сопоставить номинальные характеристики IGBT и SiC MOSFET

В этом видео вы сосредоточитесь на сравнении допустимой мощности IGBT и SiC MOSFET. Рассмотрим различные аспекты, которые необходимо учитывать при определении размеров IGBT или МОП-транзистор для определенного приложения.

Как Infineon прокладывает путь к эффективности электромобилей с помощью CoolSiC™

• Узнайте о функциях и преимуществах решений CoolSiC™ от Infineon в целевых приложениях и ознакомьтесь с полностью масштабируемым портфолио CoolSiC™ от Infineon, чтобы соответствовать этому переходу на автомобильный рынок
• Объясните причины более широкого внедрения технологии карбида кремния в автомобилестроение

Смотреть электронное обучение

Си | карбид кремния | Позиционирование GaN в приложениях ACDC

Infineon предлагает проверенный опыт во всех трех основных силовых полупроводниковых технологиях. Узнайте, как разместить их в приложениях AC-DC!

Нажмите здесь, чтобы узнать больше.

Приложения

Поддержка

Контакт

Карбид-кремниевые (SiC) МОП-транзисторы

Эти продукты разработаны, чтобы быть быстрыми и прочными, и включают системные преимущества от высокой эффективности до уменьшения размеров и стоимости системы.

Рекомендуемые продукты

PRT+

Войдите в свою учетную запись onsemi, чтобы просмотреть избранные Сохраненные фильтры .

Регистр. Теперь

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инверта

Значение диапазона инверта

(TO-263-7L HV)

Подробнее

Активный

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Активный

D2PAK7 (TO-263-9L HV)

Подробнее

Активный

0003

Подробнее

Active

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Active

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Active

D2PAK7 (до 263

D2PAK7 -7L HV)

Подробнее

Active

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Active, New

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

.

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Active

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Active

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

Подробнее

Active

D2Pak7 (до 263-7-7L).

More Details

Active

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

More Details

Active, New

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

More Details

Active

D2PAK7 (TO -263-7L HV)

Подробнее

Активный

H-PSOF8L 9.90×11.68, 1,20p

Подробнее

Последние поставки

Подробнее

Актив

Подробнее

Последние отгрузки

Подробнее

Установка

Active Active

.

до-247-4

Подробнее

Active

TO-247-4

Подробнее

Active

TO-247-4

Подробнее

Active

TO-247-4

0003

Подробнее

Active

to-247-4

Подробнее

Active

to-247-4

Подробнее

Active

до 247-4

Подробнее

Active

-47-4

Active

до 247-4

Подробнее

Active

до 247-4

Подробнее

Active

до 247-4

Подробнее

Active

до-247-4

Подробнее

Active

TO-247-4

Подробнее

Active

TO-247-4

Подробнее

Active

TO-247-4

Подробнее

Active

до 247-4

-4

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

до 247-3LD

Подробнее

Активный

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active, New

TO-247-3LD

Подробнее

Active

по 247-3LD

. 3ld

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active

до-247-3LD

Подробнее

Active Active Active To-247-3LD

до 247-3ld

Подробнее

Последние поставки

TO-247-3LD

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Active, New

до-247- 3ld

Подробнее

Active

TO-247-3LD

Подробнее

Загрузка …

ПРИНТЕРСКОЕ ВЕРСИЯ

PDF FORMAT

Формат Excel

CSV FORMAT

LOSK

9000

CSV

.0503

Группы продуктов:

93

┗

Запчасти:

93

Идет загрузка…

Привет, я пришел с миром!

Я ваш дружелюбный помощник по веб-сайтам, и я был создан, чтобы помочь вам ориентироваться на нашем веб-сайте и показать вам наши полезные функции.

No related posts.

Добавить комментарий Отменить ответ

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Комментарий *

Имя *

Email *

Сайт