8-900-374-94-44
Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.
Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г — от
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А
— 25 в.
У транзисторов КТ815Б
— 45 в.
У транзисторов КТ815В
— 60 в.
У транзисторов КТ815Г
— 80 в.
Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.
Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 1,2 в.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.
Граничная частота передачи тока — 3 МГц.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101,
Рига 103, Урал Авто-2.
Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204-
стерео и т. д.
На главную страницу
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
elektrikaetoprosto.ru
Цоколевка транзисторов П213, П214
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П213 | AD139, AD262 | |||
| П213А | |||||
| П213Б | AD1202 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | Вт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П213 | — | 11.5* | |
| П213А | — | 10* | |||
| П213Б | — | 10* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | П213 | — | ≥0.2* | МГц |
| П213А | — | ≥0.2* | |||
| П213Б | — | ≥0.2* | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П213 | — | 45 | В |
| П213А | — | 45 | |||
| П213Б | — | 45 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П213 | — | 15 | В |
| П213А | — | 10 | |||
| П213Б | — | 10 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | П213 | — | 5 | А | |
| П213А | — | 5 | |||
| П213Б | — | 5 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П213 | — | ≤0.15 | мА |
| П213А | — | ≤1 | |||
| П213Б | — | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П213 | 5 В; 1 А | 20…50* | |
| П213А | 5 В; 0.2 А | ≥20* | |||
| П213Б | 5 В; 0.2 А | ≥40* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П213 | — | — | пФ |
| П213А | — | — | |||
| П213Б | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П213 | — | ≤0.16 | Ом |
| П213А | — | — | |||
| П213Б | — | ≤1.25 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П213 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П213А | — | — | |||
| П213Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П213 | — | — | пс |
| П213А | — | — | |||
| П213Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ruТранзисторы П213
Транзисторы П213 — германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40
Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 30 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный)
Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.
Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 —20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 11,5 Вт(на радиаторе).
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П213 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
| < Предыдущая | Следующая > |
|---|
bsh1.ru
Транзисторы П213Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: аА0.336.123 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора П213Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fh31э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА;
• h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом
Технические характеристики транзисторов П213, П213А, П213Б:
Тип
транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max Т
max
IК
max IК. И.
max UКЭR max
(UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max
(РК. Т. max) h31Э UКЭ
нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
П213 p-n-p 5 — 40 45 15 11,5 20…50 0,5 0,15 0,3 0,15 — — — 85 -60…+70
П213А p-n-p 5 — 30 45 10 10 >20 — 1 0,4 0,15 — — — 85 -60…+70
П213Б p-n-p 5 — 30 45 10 10 >40 2,5 1 0,4 0,15 — — — 85 -60…+70
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
krsk.au.ru
Транзисторы П213
Транзисторы П213 — германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40
Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 30 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 5 А.
Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.
Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 —20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 11,5 Вт(на радиаторе).
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора П213 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
bsh1.ru
<img src=»//content-2.foto.my.mail.ru/mail/wow-kare/_answers/i-3351.jpg»>
Основные технические характеристики транзистора П213Б: • Структура транзистора: p-n-p• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fh31э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц; • Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА; • h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40;• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом
Тут уже ответили и на будущее — если написать в поиск название и слово даташит — результат такой же будет.. . Или раньше были и есть большие справочники по характеристикам п/п приборов! =)
Ток коллектора — 5 А. Ток базы — 0,5 А. Напряжение кэ — примерно 60 — 70 вольт.
touch.otvet.mail.ru
Фланец-вывод коллектора.
Масса – 17 гр.
Содержание серебра в одном приборе 0,0018162 гр.
Характеристика транзистора: П213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215
Электрические параметры при температуре окружающей среды = +20+-1 градусов по Цельсию.Условия хранения приборов.
Складские условия: температура окружающей среды от +5 до + 35 градусов по Цельсию, относительная влажность до 85%, отсутствие в окружающей среде кислотных, щелочных и других агрессивных примесей.
Полевые условия: температура окружающей среды от -40 до +40 градусов, относительная влажность воздуха до 98% при температуре +30 градусов.
Гарантии.
Предприятие-изготовитель гарантирует:
Гарантийная наработка – 12 000 часов, срок хранения в складских условиях 6 лет.
На протяжении этого срока допускается 1 год хранения в естественных климатических условиях в аппаратуре, защищенной от прямого воздействия солнечной радиации и атмосферных осадков.
Гарантийный срок исчисления с момента отгрузки.
Указания и рекомендации по эксплуатации.
Для обеспечения хорошего теплового контакта транзистор при эксплуатации должен быть закреплен с помощью накидного фланца на теплоотводе со шлифованной поверхностью. Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать невысыхающим маслом.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм.
При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора от шасси или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется прокладки шайб из оксидированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 градусов/Вт на каждые 50 мкм слюдяной прокладки или 0,25 градусов/Вт на каждые 50 мкм слоя окиси алюминия.
Пайка к выводам транзистора допускается только на плоской части вывода. При пайке цилиндрическая часть вывода должна быть зажата теплоотводящими губками.
Изгиб выводов допускается только на плоской части вывода.
Запрещается использовать транзисторы в схемах, в которых цепь базы разомкнута по постоянному току.
При включении транзистора в схему базовый вывод должен присоединяться первым, а отключаться последним.
При монтаже транзисторов необходимо, чтобы фланец не ложился на сварочный шов.
При несоблюдении любого из предельно допустимых параметров надежность транзистора не гарантируется.
elektrouzel.ru